삼성전자 반도체연구소 박사/경력 채용공고

회사 소개

삼성전자 반도체연구소는 메모리 및 비메모리반도체의 차세대 소자 및 공정을 아우르는 연구소로서 한 발 앞선

기술 개발을 통한 기술 선도를 실현하고 세계 초 일류 Si Technology Leader로 도약하기 위해 우수 인재를

채용코자 하오니 많은 관심과 지원 바랍니다.

모집 부문

□ Advanced Process & Module Development (DRAM, Flash, Logic, etc.)

 – Photolithography (e-beam, EUV, OPC/RET, Photo Resist Materials), Dry Etch,

Cleaning & CMP, Diffusion, Ion Implantation, Metallization, Metrology & Inspection, etc.

– Device Isolation, Transistor, Capacitor, Dielectric

– High-K/Metal Gate, SiO2/SiON Gate Dielectric

– Low-K, Interconnect, etc.

※ OPC : Optical Proximity Correction (Comput. Litho), MPC : Mask Process Correction

□ FEOL/BEOL Process Integration (DRAM / Flash / Logic, etc.)

□ New Memory : PRAM, STT-MRAM, ReRAM, etc.

□ TCAD/ECAD

– Process & Device/Material Modeling, Circuit Compact/Reliability Modeling

– Circuit Simulator Development

– System-Level Modeling / Simulation, Virtual Platform, HW / SW Co-Design

– Simics/CoWare/SOC Designer UserMemory Controller/Memory Architecture/SSD Research Experience

□ Advanced CMOS Image Sensor (CIS) Development

– Pixel Design, Image Signal Processing, Mixed IC Design, Analog/Desital Design

– CIS Process Development

□ Package Development

– Wire Bonding & Flip Chip Package / Wafer Level Package (WLP/TSV)

– Thining 및 PKG/Chip Warpage Control, Signal/Power/Thermal

– Material Development & Failure Analysis

※ 전 공 : 전기전자, 물리/광학, 화학/화공, 재료/금속, 기계, 산업공학, 항공우주공학 etc.

※ 근무지 : 삼성전자(주) 화성캠퍼스 (경기도 화성시 소재)

지원 자격

□ 학사 학위 소지자의 경우 최소 4년이상의 관련 부문 경력 보유자

□ 석사 학위 소지자의 경우 최소 2년이상의 관련 부문 경력 보유자

□ 박사 학위 소지자 및 2012년 이내 박사학위 취득예정자

□ 군필 및 면제자, 해외 여행에 결격 사유가 없는 자

지원 방법 및 기간

□ 지원 방법 : 반드시 첨부 이력서 양식에 맞춰 작성 하신 後

삼성그룹 채용 공고사이트(http://www.samsungcareers.com)으로 접수 하시면 됩니다.

□ 지원 기간 : 2011년 12월 30일(금) ~ 2012년 1월 12일(목) 23:50분까지

전형 절차

기 타

□ 이력서 검토 후 서류 전형 결과는 E-mail로 개별 발송될 예정이며, 합격자에 限하여

2월初에 면접이 실시될 예정입니다.

□ 접수된 서류는 일체 반환하지 않으며, 허위사실이 있는 경우 입사가 취소됩니다.

□ 문의처 : 삼성전자 반도체연구소 최상혁(031-208-7138, sdf.choi@samsung.com)