[삼성전기] 1nside Edge 논문대상 공모
제 11회 삼성전기 1nside Edge 논문대상 공모
<응모대상>
– 국내외 대학(원)생 및 Post Doc으로 공학관련 순수 또는 응용기술논문 작성 가능자
(전공제한 없음, Post Doc의 경우 학교 소속인 자에 한함)
– 제출논문의 경우, 논문 접수 마감일을 기준으로 국내외 공개 출판물에 발표되지 않은 논문
<시상내역>
– 대상(1편) : 1,000만원
– 금상(1편) : 500만원
– 은상(6편) : 300만원
– 동상(12편) : 100만원
– 특별상(2편) : 300만원
(* 특별상 : 최다 논문 제출LAB, 최다 수상LAB)
<운영일정>
– 논문 초록 접수 : 6.15(월) ~ 7.17(금)
– 초록심사 결과발표 : 8.17(월)
– 논문 본문 접수 : 8.17(월) ~ 9.16(수)
– 본문심사 결과발표 : 10.12(월)
– 발표심사 : 10.26(월)
– 최종 수상자 발표 : 10.28(수)
– 시상식 : 10.30(금)
<응모분야 및 주제>
응모분야 |
세부주제 |
소재기술 |
무기재료(금속재료, 자성재료, 유전체 재료, 압전재료, 세라믹 재료, Glass 재료, 나노재료 等), 유기재료(고분자, 절연재료, 광학재료, 유기합성, 약품류 等), 복합재료 베젤잉크 및 인쇄, AF(Anti-Finger)코팅 |
소자 및 공정기술 |
박층 성형/인쇄(적층, 시트성형), 박막 공정, 인쇄회로 기판 공정 (도금, 회로, 가공, bumping 等), 표면처리(도금, 에칭, 세정, 노광/현상), MEMS 공정, MEMS Device(가속도 센서, 자이로센서, 압력센서, 마이크로 폰), 지자기센서, 보정기술(Calibration) PKG 공정(Wafer Level Package, Encapsulation, Wafer bonding, Interconnection, SMT, Die attach, Dicing 等) |
무선고주파 |
Analog/Mixed-signal IC, RF Front-End IC (PA, LNA, Switch, Filter 等), Antenna, SoC for wireless applications, Wireless power transfer, Wireless transceiver, Wireless Transceiver Architecture, MMIC |
소프트웨어 |
Algorithm, Image/signal processing,vision, Pattern Recognition, Machine Learning,Intelligence, Real-time/Embedded Systems, Operating Systems,Protocol, Network Security, Control theory |
기반기술 |
나노 형태/성분 분석, 표면 및 계면 분석, 원자 탐침 분석 및 전자현미경 등 新나노분석 평가법 개발, 유기/무기 화학 정량 및 정성 분석, 고분자 특성 분석, 결정구조 및 재료 물성 분석, 나노 인덴터 등 국소영역 물성 평가법 개발, 레이저 분광/계측/가공, 마이크로 소자의 고장분석 및 신뢰성 향상 기술, 열/유체 해석, 구조/진동 해석, 전자장/RF/회로/EMI 해석, 광학/광소자 해석, Multi-Physics 및 Multi-scale 해석, 재료 해석 및 분자모델링 |
생산기술 |
설비자동화(정밀 motion 제어, 구조해석, 유동해석, 열전달), 측정기술(전기측정, 광학측정, Image Processing), 연속생산(R2R 설비, 코팅/인쇄) 인쇄전자, 정밀가공(금형 설계/가공, Laser 미세가공), 생산시스템(MES, 오염/이물 제어, 청정생산) |
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<문의처>
삼성전기 1nside Edge 논문대상 사무국
Tel : 02-735-1172
E-mail : inside_edge@samsung.com
홈페이지 : http://www.samsungsem.com/kr/1nside-edge/purpose/index.jsp